toza silicon carbide
Danasîna hilberê
Pêkhateya kîmyewî ya toza karbîd a silicon bi piranî ji du hêmanan pêk tê, Si û C, ku ji wan rêjeya Si û C 1:1 e.Digel vê yekê, karbîd silicon dibe ku hêjmarek piçûk hêmanên din jî hebe, wek Al, B, P, û hwd., naveroka van hêmanan dê bandorek li ser performansa karbîd silicon hebe.Toza silicon carbide di gelek waran de, wekî elektronîk, hêz, hewa feza, otomotîv û hwd.Di warê elektronîk de, toza silicon carbide dikare ji bo çêkirina amûrên nîvconductor, hêmanên elektronîkî, hwd were bikar anîn. , toza silicon carbide dikare ji bo çêkirina materyalên avahîsaziyê yên germahiya bilind, alavên avionîk, hwd were bikar anîn.
Specification
| silicon carbide sic toz specification for nonabrasive | ||||
| Awa | Têkiliya kîmyewî ya referansê (%) | Mezinahî (mm) | ||
| SiC | FC | Fe2O3 | ||
| TN98 | ≥98.00 | <1.00 | <0.50 | 50~0 |
| TN97 | ≥97.00 | <1.50 | <0.80 | 13~0 |
| TN95 | ≥95.00 | <2.50 | <1.00 | 10~0 |
| TN90 | ≥90.00 | <3.00 | <2.50 | 5~0 |
| TN88 | ≥88.00 | <3.50 | <3.00 | 0.5~0 |
| TN85 | ≥85.00 | <5.00 | <3.50 | 100F |
| TN60 | ≥60.00 | <12.00 | <3.50 | 200F |
| TN50 | ≥50.00 | <15.00 | <3.50 | 325F |
Bikaranînî
Pergala kontrola kalîteyê
Huarui pergala rêveberiya kalîteyê ya hişk heye.Piştî ku em hilberîna xwe biqedînin, em pêşî hilberên xwe ceribandin, û em berî her radestkirinê, tewra nimûne, dîsa ceribandin.Û heke hûn hewce ne, em dixwazin ceribandina partiya sêyemîn qebûl bikin.Bê guman heke hûn bixwazin, em dikarin ji we re nimûne ji bo ceribandinê peyda bikin.
Kalîteya hilberê me ji hêla Enstîtuya Metallurgical Sichuan û Enstîtuya Lêkolîna Metalê ya Guangzhou ve tê garantî kirin.Hevkariya demdirêj bi wan re dikare ji xerîdaran re gelek wextê ceribandinê xilas bike.
